一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型

• 作者: 任铮 张孟迪 李曦 汪明娟 石艳玲 胡少坚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 版图相关 应力模型 栅极多晶硅 PSP模型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 267-270
• 分类号: TN432
• 字数: 2367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.03.005

摘要

描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型.该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数.模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学电子工程系	47	205	8.0	12.0
2	任铮	华东师范大学电子工程系	7	19	3.0	4.0
6	李曦	华东师范大学电子工程系	6	8	1.0	2.0
7	胡少坚		12	22	3.0	4.0
8	汪明娟	华东师范大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
9	张孟迪	华东师范大学电子工程系	1	0	0.0	0.0