晶体硅片上激光打孔的研究

• 作者: 张光春 李果华 杨健 王玉林 钱俊 陈如龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光打孔 脉冲能量 离焦量 重复频率 太阳电池
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 375-380,389
• 分类号: TN304
• 字数: 2943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.011

摘要

背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺.选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验.通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响.在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数.通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大.随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小.脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径.另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨健		7	31	3.0	5.0
2	陈如龙		8	42	4.0	6.0
3	钱俊	江南大学理学院	1	7	1.0	1.0
4	王玉林		1	7	1.0	1.0