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摘要:
为了提高D触发器的速度、降低功耗、缩小面积,本文对常用D触发器进行分析,综合各自优缺点,优化最高频率,设计出一款新型带清零的半静态D触发器,采用华润上华0.6μmN阱CMOS工艺,版图面积为46.500×40.350(μm).该触发器的最高频率为356MHz,运用她构成二分频器并仿真成功.
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文献信息
篇名 新型带请零的半静态D触发器芯片设计
来源期刊 电子世界 学科 工学
关键词 D触发器 半静态 清零 版图
年,卷(期) 2012,(7) 所属期刊栏目 设计应用
研究方向 页码范围 147-149
页数 分类号 TP3
字数 1350字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵俊霞 23 12 2.0 2.0
2 朱巧艳 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
D触发器
半静态
清零
版图
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
北京市
2-892
1979
chi
出版文献量(篇)
36164
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46655
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