采用DOE方法优化非晶硅溅射工艺

• 作者: 周都成 张明 王栩 陈海峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射 a-Si 功率 压力 温度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 35-37
• 分类号: TN305
• 字数: 2164字
• 语种: 中文

摘要

文中通过使用DOE实验设计方法对磁控溅射设备a-Si靶工艺特性进行能力研究,给出了该设备工艺随功率、压力、温度的设定条件下 a-Si介质生长速率与均匀性的变化关系.结果表明,功率和压力是主要决定速率和均匀性的关键因素,基片温度从室温到300℃,a-Si淀积速率基本不变.降低工艺压力对改善均匀性最为明显;工艺温度和功率的降低虽也可以起到改善均匀性的作用,但效果不明显,且三者的变动同时会导致速率的变化,为今后的生产、开发应用提供了参考意见.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明		2	1	1.0	1.0
2	周都成		1	0	0.0	0.0
3	陈海峰		1	0	0.0	0.0
4	王栩		1	0	0.0	0.0