低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善

• 作者: 刘超 崔利杰 张家奇 曾一平 赵杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲化锌 异质外延 低温缓冲层 高温缓冲层 分子束外延
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与设备
• 页码范围: 37-41
• 分类号: TN304.25
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.01.008

摘要

研究了低温缓冲层对在GaAs (001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响.发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线( DCXRC)的ZnTe (004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm.而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用.基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	85	439	11.0	16.0
2	刘超	中国科学院半导体研究所材料科学中心	128	874	18.0	25.0
3	赵杰	中国科学院半导体研究所材料科学中心	30	470	12.0	21.0
4	张家奇	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	10	2.0	3.0
5	崔利杰	中国科学院半导体研究所材料科学中心	10	62	4.0	7.0