Cu、Ag和Au掺杂AlN的电磁性质的第一性原理研究

• 作者: 刘高斌 王新强 程志梅 聂招秀 高婷婷 鲁莉娅
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 铁磁性 稀磁半导体 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 167-174
• 分类号: O482.54
• 字数: 3245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.01.030

摘要

采用基于密度泛函理论( DFT)的平面波超软赝势法,研究了Cu、Ag、Au掺杂AlN的晶格常数、磁矩、能带结构和态密度.电子结构表明,Cu、Ag、Au的掺杂使在带隙中引入了由杂质原子的d态与近邻N原子的2p态杂化而戌的杂质带,都为p型掺杂,增强了体系的导电性.Cu掺杂AlN具有半金属铁磁性,半金属能隙为0.442 eV,理论上可实现100％的自旋载流子注入;Ag掺杂AlN具有很弱的半金属铁磁性;而Au掺杂AlN不具有半金属铁磁性.因此,与Ag、Au相比,Cu更适合用来制作AlN基稀磁半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新强	重庆大学物理学院	46	305	11.0	12.0
2	刘高斌	重庆大学物理学院	37	310	12.0	15.0
3	高婷婷	重庆大学物理学院	5	36	5.0	5.0
4	程志梅	重庆大学物理学院	11	22	2.0	4.0
6	聂招秀	重庆大学物理学院	8	15	2.0	3.0
9	鲁莉娅	重庆大学物理学院	1	7	1.0	1.0