Effects of gate-buffer combined with a p-type spacer structure on silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistor p-type spacer gate-buffer
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 426-432
• 页数: 7页
• 语种: 英文
• DOI: 10.1088/1674-1056/21/1/017202