不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

• 作者: 张晓静 曹智睿 白力静 蒋百灵 赵志明 马二云
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁感应强度分布因子 Mo薄膜 磁控溅射 电阻率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 410-414
• 分类号: O484.1
• 字数: 3391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.014

摘要

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加；不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征；随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料学院	241	5240	40.0	64.0
2	白力静	西安理工大学材料学院	55	796	14.0	27.0
3	赵志明	西安理工大学材料学院	22	50	4.0	6.0
4	张晓静	西安理工大学材料学院	8	26	3.0	5.0
5	马二云	西安理工大学材料学院	6	12	2.0	3.0
6	曹智睿	西安理工大学材料学院	4	22	2.0	4.0