C/SiC复合材料的低温制备工艺研究

• 作者: 周长城 张玉娣 张长瑞 胡海峰
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: PCS C/SiC 复合材料 先驱体浸渍裂解 低温制备
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 44-47
• 分类号: TB323
• 语种: 中文

摘要

陶瓷基复合材料制备温度过高一直是制约其引入主动冷却工艺、突破其本征使用温度的主要原因之一.采用差热(TG-DTA)、红外(IR)、X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究了聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)的裂解及化学转化过程,从理论上说明了先驱体聚碳硅烷(PCS)低温(＜1000℃)陶瓷化的可行性.结果表明:聚碳硅烷在750℃实现无机化,880℃开始结晶,即聚碳硅烷在高温合金耐受温度范围(＜1000℃)内,即可实现陶瓷化.以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,炭纤维为增强体,采用先驱体浸渍裂解(PIP)工艺低温制备了炭纤维增强碳化硅(C/siC)陶瓷基复合材料,当制备温度为900℃时,所制备C/siC复合材料密度为1.70g/cm3,弯曲强度达到657.8MPa,剪切强度为61.02MPa,断裂韧性为22.53MPa·m1/2,并采用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的微观形貌进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科学技术大学航天与材料工程学院	30	357	10.0	18.0
2	周长城		2	6	1.0	2.0
4	胡海峰	国防科学技术大学航天与材料工程学院	11	126	5.0	11.0
7	张玉娣	国防科学技术大学航天与材料工程学院	6	12	2.0	3.0