树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能

• 作者: 孙兰兰 张振中 徐志堃 申德振 秦杰明 赵东旭 鄂书林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Si 金属辅助化学腐蚀 水热法 纳米线阵列
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 760-763
• 分类号: O484.4
• 字数: 1601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0760

摘要

用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列.首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列.利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征.通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值.