特定应用MOSFET取代旧式功率元件效率更高

• 作者: Bob Brockway Bong Joo Choi Sampat Shekhawat
• 来源期刊: 中国电子商情：基础电子
• 学科: 工学
• 关键词: 元件 效率 功率 应用 特定 金属氧化物 晶体管 半导体
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 技术前沿
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN949.7
• 字数: 4703字
• 语种: 中文

摘要

金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）正经历重大改变。业界采取两种截然不同的方法来达到更高效能，首先是经由改善硅材料和制程技术，以克服现有产品的限制，另一种方法则是开发更好的元件封装方式。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Sampat Shekhawat		3	0	0.0	0.0
2	Bob Brockway		2	0	0.0	0.0
3	Bong Joo Choi		2	0	0.0	0.0