SiO2阻挡层对直流磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

• 作者: 李林娜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AZO薄膜 阻挡层 迁移率
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1696-1699,1704
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2480字
• 语种: 中文

摘要

在AZO薄膜制备温度下,浮法玻璃衬底中的杂质可能会引入“掺杂”效应而导致薄膜迁移率的降低.为了提高薄膜的迁移率,增加载流子在薄膜中的输运能力,本实验提出SiO2/AZO复合薄膜制备技术.SiO2薄膜与普通玻璃相比,具有纯度高、透过率高的特点,本实验通过SiO2/AZO复合结构提高薄膜的迁移率.采用SiO2/AZO复合结构溅射制备AZO薄膜,使薄膜的载流子迁移率由19.8 cm2·V-1·s-1提高到57.1 cm2·V-1·s-1.

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1	李林娜		1	0	0.0	0.0