MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究

• 作者: 朱振邦 朱顺明 郑有炓 顾书林 顾然 黄时敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO MOCVD 氧源 t-BuOH
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 665-668
• 分类号: TN304
• 字数: 2945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123306.0665

摘要

以活性较低的叔丁醇( t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜.研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2·V-1·s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	78	353	11.0	15.0
2	朱顺明	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	20	72	5.0	7.0
3	顾书林	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	46	261	9.0	14.0
4	黄时敏	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	1	1	1.0	1.0
5	朱振邦	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	2	7	1.0	2.0
6	顾然	南京大学电子科学与工程学院南京微结构国家实验室	1	1	1.0	1.0