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衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响
衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响
作者:
冯良桓
唐萍
张静全
曾广根
李卫
武莉莉
王文武
程四兴
蔡亚平
黎兵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
磁控溅射法
CdTe/ZnTe
太阳电池
衬底温度
摘要:
采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中,CdTe和ZnTe均沿(111)晶面择优取向生长,尤其是ZnTe沿(111)晶面择优取向明显,衍射强度极大.通过比较不同衬底温度,发现185℃生长的样品衍射峰强度最高,成膜质量较好;通过吸收谱图分析,185℃下沉积的样品对光有较好的吸收性.
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Sb掺杂
真空蒸发
光学性能
电学性能
硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的 制备及光学特性
纳米晶
Ge/ZnO多层薄膜
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光致发光
射频磁控溅射
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响
来源期刊
四川大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
磁控溅射法
CdTe/ZnTe
太阳电池
衬底温度
年,卷(期)
2012,(1)
所属期刊栏目
材料科学
研究方向
页码范围
188-192
页数
分类号
TN304.2
字数
2979字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0490-6756.2012.01.031
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黎兵
四川大学材料学院
44
264
8.0
15.0
2
冯良桓
四川大学材料学院
78
424
10.0
17.0
3
蔡亚平
四川大学材料学院
33
302
10.0
16.0
4
王文武
四川大学材料学院
27
9
2.0
2.0
5
张静全
四川大学材料学院
69
285
8.0
15.0
6
李卫
四川大学材料学院
56
193
7.0
12.0
7
程四兴
四川大学材料学院
1
0
0.0
0.0
8
唐萍
四川大学材料学院
6
9
2.0
2.0
9
武莉莉
四川大学材料学院
56
217
8.0
13.0
10
曾广根
四川大学材料学院
21
17
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(51)
共引文献
(5)
参考文献
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节点文献
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同被引文献
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二级引证文献
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二级参考文献(1)
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CdTe/ZnTe
太阳电池
衬底温度
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
四川大学学报(自然科学版)
主办单位:
四川大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
0490-6756
CN:
51-1595/N
开本:
大16开
出版地:
成都市九眼桥望江路29号
邮发代号:
62-127
创刊时间:
1955
语种:
chi
出版文献量(篇)
5772
总下载数(次)
10
总被引数(次)
25503
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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四川大学学报(自然科学版)2012年第5期
四川大学学报(自然科学版)2012年第4期
四川大学学报(自然科学版)2012年第3期
四川大学学报(自然科学版)2012年第2期
四川大学学报(自然科学版)2012年第1期
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