一款高精度大衰减量单片数控衰减器

• 作者: 刘志军 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大衰减量 高精度 单片式微波集成电路 数控衰减器 砷化镓
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与组件
• 页码范围: 59-62
• 分类号: TN715
• 字数: 2141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.01.013

摘要

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法.电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现.对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述.针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑.通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标.单片电路测试结果为:在3～ 100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5 ～63.5 dB.测试结果表明设计方法有效、可行.电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0