MOSFET寄生电容对E类功率放大器影响的研究

• 作者: 王永吉 葛小宁 金太东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Class-E功率放大器 寄生电容 漏极输出电压 旁路电容 传输效率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与组件
• 页码范围: 138-142
• 分类号: TN386.2|TN722.75
• 字数: 3060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.011

摘要

针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法.通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET自身的输出寄生电容,以达到提高输出效率的目的.计算及仿真结果表明该方法在13.56 MHz下,可以将Class-E的旁路电容的值提高到120 ～ 160 pF,大大超过了IRF510的102.98 pF的寄生输出电容.最后,通过MS03012混合信号示波器测量电路的传输效率,并对解决方案评估和改进,将Class-E的能量传输效率从改进前的37.1％提高到改进后的54.4％.据此,实现了Class-E在神经假体中数据与能量传输的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金太东	辽宁石油化工大学研究生学院	32	102	5.0	9.0
2	葛小宁	辽宁石油化工大学研究生学院	2	4	1.0	2.0
3	王永吉	辽宁石油化工大学研究生学院	1	1	1.0	1.0