碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响

• 作者: 常方高 杨海刚 秦瑞平 胡晓峰 蒋玉荣 边长贤 马恒 黄静
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碱液修饰 量子效率 光谱响应 表面复合 红移
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 996-1000
• 分类号: TB34
• 字数: 3559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123309.0996

摘要

采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰.分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响.研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低；光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象.最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制.