ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性

• 作者: 刘继琼 卓雯 张仁刚 王红军 高恒
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS薄膜 溅射 硫化
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1700-1704
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3050字
• 语种: 中文

摘要

采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张仁刚	武汉科技大学应用物理系	8	17	3.0	3.0
3	卓雯	武汉科技大学应用物理系	5	13	2.0	3.0
6	刘继琼	武汉科技大学应用物理系	2	5	1.0	2.0
7	王红军	武汉科技大学应用物理系	5	9	2.0	3.0
8	高恒	武汉科技大学应用物理系	1	5	1.0	1.0