D+注入Li4SiO4的表面化学状态及其热解吸行为

• 作者: 汪小琳 王和义 罗阳明 肖成建 胡胜 陈晓军 高小铃
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 正硅酸锂 注氘 X射线光电子能谱 热解吸谱 国际热核聚变实验堆
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 1418-1422
• 页数: 5页
• 分类号: TL627
• 语种: 中文

摘要

锂陶瓷氚增殖剂的氢同位素行为是聚变堆固态产氚包层关心的重要课题.本文将3 keV D+注入Li4SiO4,采用X射线光电子能谱在线分析注氘前后材料表面的化学状态,同时采用热解吸谱(TDS)实验技术,研究注氘后Li4 SiO4中氢同位素的热解吸行为.实验结果表明:D+注入会改变Li4 SiO4表面的化学环境,产生多种辐照缺陷和化学键合状态；氘滞留量和热解行为受注氘时样品的温度影响较大,可在一定程度上预测产氚包层中氚的滞留行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓军	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	27	204	7.0	13.0
2	高小铃	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	16	99	7.0	8.0
3	王和义	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	84	518	12.0	17.0
4	胡胜	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	42	168	8.0	10.0
5	肖成建	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	24	102	6.0	9.0
6	罗阳明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	40	259	9.0	13.0
7	汪小琳		82	376	11.0	13.0