微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜

• 作者: 辛煜 陈修勇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波电子回旋共振等离子体 非晶碳化硅 红外光谱 光学带隙
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 结构薄膜
• 页码范围: 163-168
• 分类号: TB321
• 字数: 4628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.02.16

摘要

利用SH4(80％Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜.实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小.红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R＞0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子.同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移.薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	辛煜	苏州大学薄膜材料实验室物理科学与技术学院	38	176	8.0	10.0