1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计

• 作者: 刘云 宁永强 张立森 张艳 曹军胜 曾玉刚 梁雪梅 王立军 秦莉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 1060nm 瓦级 InGaAs
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 774-779
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0774

摘要

对1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计.对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能.为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠.发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9nm和3个,输出功率可以达到瓦级.另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性.最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好.