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摘要:
对1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计.对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能.为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠.发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9nm和3个,输出功率可以达到瓦级.另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性.最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 垂直腔面发射激光器 1060nm 瓦级 InGaAs
年,卷(期) 2012,(7) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 774-779
页数 分类号 TN248.4
字数 1179字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20123307.0774
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研究主题发展历程
节点文献
垂直腔面发射激光器
1060nm
瓦级
InGaAs
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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