静电放电对功率肖特基二极管I-V及低频噪声特性的影响

• 作者: 刘玉栋 孙鹏 杜磊 陈文豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 肖特基二极管 低频噪声 静电放电
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 408-415
• 分类号: O441.1
• 语种: 中文

摘要

本文基于人体放电模型分别对肖特基势垒二极管的阴极和阳极进行同一电压脉冲下的多次放电,利用热电子发射理论、1/f噪声的迁移率涨落模型和白噪声理论,分别深入研究静电放电损伤对器件I-V和低频噪声的影响.结果表明,静电放电作用于肖特基二极管阴极时损伤更严重,噪声参量变化率更大.随着放电次数的增加,正向特性无变化,反向电流总体增大,偶有减小;而正向和反向1/f噪声均增大.鉴于噪声与应力条件下器件内部产生的缺陷与损伤有关,且更敏感,故可将低频噪声特性用作肖特基二极管的静电放电损伤灵敏表征工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	陈文豪	西安电子科技大学技术物理学院	15	128	6.0	11.0
3	孙鹏	西安电子科技大学技术物理学院	16	70	4.0	8.0
4	刘玉栋	西安电子科技大学技术物理学院	2	9	2.0	2.0