p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用

• 作者: 卢景霄 吴晨阳 杨仕娥 谷锦华 赵会娟 陈永生
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型薄膜硅 异质结太阳电池 开路电压 射频等离子体增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用
• 页码范围: 248-251
• 分类号: O484.1
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.03.14

摘要

首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50％的p型微晶硅,然后制备了μc-Si:H( p)/c-Si(n)异质结太阳电池.初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压的影响.在优化的工艺参数下得到异质结电池最大开路电压Voc为564 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	赵会娟	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0
6	吴晨阳	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	2	9	2.0	2.0