ITO退火对GaN基LED电学特性的影响

• 作者: 刘建朋 吴国庆 朱彦旭 郭伟玲 闫微微
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铟锡氧化物(ITO) 退火 理想因子 串联电阻
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 425-431
• 分类号: O484.42
• 语种: 中文

摘要

近些年来,越来越多的发光二极管采用铟锡氧化物（ITO）作为电流扩展层,但是如果不对其进行任何处理,得到的发光二极管的电学特性很差,要得到好的电学特性需要对长有铟锡氧化物的发光二极管进行退火处理.针对不同的退火时间和退火温度对发光二极管的电学特性影响不同的问题,通过测量不同条件下退火得到的发光二极管的理想因子和串联电阻,根据Shah等人提出的模型进行分析,推测出铟锡氧化物和P型氮化镓的接触特性.结果表明：发光二极管的电学特性开始随着退火温度的升高和时间的增加到达一个优值,如果继续增加温度或者时间都会导致发光二极管电学特性的下降.这样有利于优化退火温度和时间,得到电学性能较好的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学北京光电子技术实验室	74	656	10.0	23.0
2	吴国庆	北京工业大学北京光电子技术实验室	4	49	4.0	4.0
3	朱彦旭	北京工业大学北京光电子技术实验室	21	79	6.0	8.0
4	刘建朋	北京工业大学北京光电子技术实验室	5	36	5.0	5.0
5	闫微微	北京工业大学北京光电子技术实验室	1	10	1.0	1.0