4H-SiC npn双极型晶体管的研制

• 作者: 潘宏菽 王于辉 田爱华 赵彤 陈昊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 双极晶体管 刻蚀 击穿电压 氧化
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 359-362
• 分类号: TN322.8|TN325.3
• 字数: 2121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.007

摘要

采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性.为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n -结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构.为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低.为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护.器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈昊	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	41	4.0	6.0
2	潘宏菽		8	21	2.0	4.0
3	王于辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	3	1.0	1.0
4	田爱华		2	0	0.0	0.0
5	赵彤	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	6	1.0	2.0