原文服务方: 材料工程       
摘要:
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理.结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
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文献信息
篇名 多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
来源期刊 材料工程 学科
关键词 多孔硅 电化学腐蚀 吸杂性能 电阻率
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 测试与表征
研究方向 页码范围 70-73
页数 分类号 O613.7|O646
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-4381.2012.03.015
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谭毅 50 241 10.0 13.0
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13 刘辰光 1 0 0.0 0.0
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材料工程
月刊
1001-4381
11-1800/TB
大16开
北京81信箱-44分箱
1956-05-01
中文
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