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材料工程期刊
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多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
作者:
刘辰光
李佳艳
谭毅
郭素霞
原文服务方:
材料工程
多孔硅
电化学腐蚀
吸杂性能
电阻率
摘要:
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理.结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
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文献信息
篇名
多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响
来源期刊
材料工程
学科
关键词
多孔硅
电化学腐蚀
吸杂性能
电阻率
年,卷(期)
2012,(3)
所属期刊栏目
测试与表征
研究方向
页码范围
70-73
页数
分类号
O613.7|O646
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-4381.2012.03.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
谭毅
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13.0
3
李佳艳
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66
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郭素霞
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刘辰光
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节点文献
多孔硅
电化学腐蚀
吸杂性能
电阻率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料工程
主办单位:
中国航发北京航空材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4381
CN:
11-1800/TB
开本:
大16开
出版地:
北京81信箱-44分箱
邮发代号:
创刊时间:
1956-05-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
5589
总下载数(次)
0
总被引数(次)
57091
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