p-GaN与ITO欧姆接触的研究

• 作者: 杨瑞霞 王静辉 甄珍珍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡 透明导电薄膜 p型氮化镓 欧姆接触 发光二极管
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 371-374,389
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.010

摘要

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件.将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度.将ITO薄膜应用于218 μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	甄珍珍	河北工业大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0