不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应

• 作者: 余学峰 卢健 崔江维 张乐情 李明 胥佳灵 郑齐文
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 总剂量效应 不同偏置条件 辐射损伤 印记现象
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 601-605
• 分类号: TN47|TN386.1
• 字数: 4092字
• 语种: 中文

摘要

通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系.实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大；SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响.