大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究

• 作者: 周东 席善斌 李明 李豫东 王飞 许发月 郭旗
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 无损筛选 辐射损伤 回归分析 物理应力
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1388-1392
• 页数: 5页
• 分类号: TN791
• 语种: 中文

摘要

结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术.通过一定的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数；建立预测集成电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证.结果显示,数学回归分析与物理应力实验结合的方法提高了无损筛选的可靠性.