GLSI钨插塞CMP碱性抛光液组分优化的研究

• 作者: 刘利宾 刘玉岭 孙鸣 林娜娜 邢哲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钨插塞 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 33-36,41
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.01.007

摘要

钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一.首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理；接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响.最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘利宾	河北工业大学微电子研究所	4	7	2.0	2.0
3	林娜娜	河北工业大学微电子研究所	2	3	1.0	1.0
4	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
5	邢哲		3	5	1.0	2.0