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Simulations of Ion Behaviors in a Photoresist Trench During Plasma Etching Driven by a Radio-Frequency Source
Simulations of Ion Behaviors in a Photoresist Trench During Plasma Etching Driven by a Radio-Frequency Source
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Simulations of Ion Behaviors in a Photoresist Trench During Plasma Etching Driven by a Radio-Frequency Source | ||
| 来源期刊 | 等离子体科学和技术：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 等离子体刻蚀 无线电频率 数值模拟 行为 光阻 频率源 海沟 拉普拉斯方程 | ||
| 年，卷（期） | 2012,（3） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 240-244 | |
| 页数 | 分类号 | TN405.982|TN92 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
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等离子体科学和技术(英文版)
主办单位：
中国科学院合肥物质科学研究所
中国力学学会
出版周期：
月刊
ISSN：
1009-0630
CN：
34-1187/TL
开本：
大16开
出版地：
合肥 中国科学院等离子体物理研究所PST编辑部
邮发代号：
创刊时间：
1999
语种：
eng
出版文献量（篇）
3310
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