温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响

• 作者: 冯丽
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 原位反射高能电子衍射 Mg掺杂p-InN 光电导灵敏度
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 785-789
• 分类号: O472.3
• 字数: 2475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0785

摘要

研究了p型InN的光电导效应.利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN.原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式.实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低.其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯丽	北京大学物理学院	1	0	0.0	0.0