表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性

• 作者: 李新建 王伶俐 王海燕 胡青飞
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: H2S气体传感器 SiC 硅纳米孔柱阵列 高温碳化
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TP212
• 字数: 3107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.01.001

摘要

通过将硅纳米孔柱阵列( Si- NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系.对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm.SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征.对浓度介于0～1 200× 10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790％,而其对400× 10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性.SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	62	372	11.0	16.0
5	李新建	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	52	218	8.0	13.0
6	胡青飞	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0
7	王伶俐	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0