Na2S2O3浓度对共电沉积制备Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响

• 作者: 卢景霄 王英君 陈永生
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2ZnSnS4薄膜 电化学沉积 硫化 光学性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用
• 页码范围: 145-149
• 分类号: O484|TB43
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.02.12

摘要

采用电化学沉积的方法在SnO2透明导电玻璃基底上沉积CuZnSnS4(CZTS)薄膜,在氮气保护下对其进行进一步硫化,研究了溶液中不同Na2S2O3浓度对沉积薄膜性质的影响.运用X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计和拉曼光谱等手段分别对薄膜进行表征.实验结果表明:随着浓度的增加,薄膜的结构和光学特性逐渐变好.当Na2S2O3的浓度为0.11 mol/L时,制得理想的具有类黝锡矿结构的CZTS薄膜,光学带隙1.51 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	王英君	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0