高方块电阻发射区对单晶硅太阳电池性能影响

• 作者: 夏正月 沈洲 沈鸿烈 陈军 马跃
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅太阳电池 磷扩散 高方块电阻发射区 转换效率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 81-84
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2012.01.025

摘要

研究通过提高发射区的方块电阻和采用合适的工艺技术,制备了性能优良的单晶硅太阳电池.采用丝网印刷技术制备了40 Ω/□常规发射区和60 Ω/□高方块电阻发射区单晶硅太阳电池并对其性能进行了分析研究.扩展电阻法分析表明:60Ω/□发射区的表面活性磷杂质浓度和结深比40Ω/□发射区的分别降低了12.8％和14.9％.尽管60 Ω/□发射区太阳电池的串联电阻增加了0.141 Ω/cm2导致填充因子下降了1.24％,但是短路电流密度和开路电压分别提高了1.31 mA/cm2和1.2 mV,最终转换效率仍然提高了0.4％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈洲	南京航空航天大学材料科学与技术学院	5	37	3.0	5.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0