RF LDMOS功率器件关键参数仿真

• 作者: 徐政 陈慧蓉 顾爱军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: RF LDMOS 击穿电压 导通电阻 输出电容 输出功率
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 33-35
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1854字
• 语种: 中文

摘要

在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的.文中研究了几个参数之间的关系和优化方案.现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展.所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻.研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾爱军		10	13	2.0	2.0
2	陈慧蓉		2	6	1.0	2.0
3	徐政		14	17	3.0	3.0