快中子转换屏发光性能研究

• 作者: 刘斌 吴洋 唐彬 唐科 孙勇 尹伟 曹超 霍合勇
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 中子转换屏 发光性能
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 26-30
• 分类号: TL375.4
• 字数: 3325字
• 语种: 中文

摘要

以中子转换屏发光机理建立数学模型,计算了LiF-ZnS中子转换屏的各项参数对成像性能的影响.用不同种类荧光粉制备了多块不同厚度和材料成分的快中子转换屏进行性能测试,实验结果显示,14 MeV快中子转换屏最佳厚度为3 mm左右,ZnS和粘合剂的最佳重量比为1∶1-2:1.对快中子转换屏和塑料闪烁体等中子探测屏的性能进行了实验测试和对比,给出了各种探测屏的性能差异和适用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐彬	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	59	173	8.0	10.0
2	吴洋	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	45	104	5.0	7.0
3	霍合勇	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	25	44	4.0	5.0
4	刘斌	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	27	43	4.0	5.0
5	孙勇	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	11	10	2.0	2.0
6	尹伟	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	6	13	2.0	3.0
7	唐科	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	5	6	2.0	2.0