GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究

• 作者: 冯志红 尹甲运 张效玮 房玉龙 敦少博 蔡树军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基高电子迁移率晶体管 逆压电效应 可靠性 弹性势能 压电本构方程
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 351-354,366
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.05.005

摘要

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一.对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能.当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛.根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分A1GaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析.分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡树军		18	62	4.0	7.0
2	房玉龙		15	24	2.0	3.0
3	冯志红		38	81	5.0	5.0
4	尹甲运		13	32	4.0	5.0
5	敦少博		10	19	3.0	4.0
6	张效玮		3	8	2.0	2.0