平面型APD抑制边缘击穿的方法研究

• 作者: 刘少卿 李彬 杨怀伟 杨晓红 王杰 王秀平 韩勤
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 边缘击穿 保护环 参数优化
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 7-11,33
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文

摘要

雪崩光电二极管（APD）作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩勤	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	24	164	7.0	12.0
2	杨晓红	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	33	182	8.0	12.0
3	王杰	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	94	992	20.0	27.0
4	李彬	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	50	959	13.0	30.0
5	杨怀伟	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	1	5	1.0	1.0
6	王秀平	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	3	5	1.0	2.0
7	刘少卿	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	2	5	1.0	2.0