Ⅲ-Ⅴ族激光器在硅片上实现直接集成

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 毫瓦 连续波 发射功率 硅衬底 蒙彼利埃 发光二极管 输出功率 光电集成电路 激光二极管 光电探测器
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（5）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN248

摘要

【正】蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D’ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制造,在30v的温度上,工作在连续波(CW)模式,在2微米波长时,其发射功率是几毫瓦。