初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 缪国庆 蒋红 贾辉 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-GaN 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 581-585
• 分类号: O471
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123306.0581

摘要

利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响.实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低.因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长.