后栅结构SnO2场致发射显示器件的研制

• 作者: 叶芸 杨尊先 林金阳 游玉香 王灵婕 郭太良
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 纳米线 后栅结构 场致发射
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 188-191
• 分类号: TN305.8|TN103
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.03.02

摘要

采用高温气相法生长SnO2纳米线,扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析表明所生长的SnO2纳米线大小均匀,直径约为150 nm,长可达10 μm.结合丝网印刷法转移SnO2,制备成阴极阵列.封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致发射性能,分析讨论栅极电压和阳极电压对场发射性能的影响.实验表明后栅型SnO2-FED具有良好的栅极调控作用,在1600 V阳极电压和200V栅极电压下工作实现全屏发光,平均发光亮度为560 cd/m2,具有潜在的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金阳	福州大学物理与信息工程学院	11	57	4.0	7.0
2	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
3	王灵婕	福州大学物理与信息工程学院	8	21	3.0	4.0
5	杨尊先	福州大学物理与信息工程学院	34	85	5.0	7.0
6	叶芸	福州大学物理与信息工程学院	47	123	5.0	8.0
9	游玉香	福州大学物理与信息工程学院	4	13	3.0	3.0