基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
研究了C194铜合金引线框架表面氧化状态对封装树脂结合强度的影响.铜合金引线框架与树脂的结合强度随氧化膜厚度的增加而先增加后减小,并在厚度为100 nm时达到最大值15.3MPa,比氧化前提高了2.6 MPa.其原因在于氧化膜能够提高与封装树脂之间的润湿性,而氧化膜较厚时,断裂更易发生在疏松的氧化膜中,从而降低了结合强度.防铜变色剂处理可以通过有效减缓氧化膜生长来控制其结合强度.
推荐文章
引线框架铜带性能与工艺分析
引线框架铜带
半导体元器件
集成电路
性能
生产工艺
铜加工及引线框架材料的研究开发现状
铜加工
铜合金
引线框架材料
集成电路
发展
CuNiSi引线框架材料的研究进展
CuNiSi铜合金
引线框架材料
引线框架电镀层测定方法的选择
钽电容器
引线框架
电镀层
测定方法
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 防铜变色剂处理对引线框架与封装树脂结合力的影响
来源期刊 电镀与涂饰 学科 工学
关键词 集成电路 引线框架 封装树脂 结合强度 防铜变色剂处理
年,卷(期) 2012,(8) 所属期刊栏目 电子电镀
研究方向 页码范围 17-20
页数 分类号 TQ153.14
字数 3453字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-227X.2012.08.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李明 147 815 15.0 22.0
2 孙江燕 10 71 5.0 8.0
3 倪明智 1 1 1.0 1.0
4 于仙仙 1 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (4)
共引文献  (11)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1989(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1995(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(3)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(1)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
集成电路
引线框架
封装树脂
结合强度
防铜变色剂处理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电镀与涂饰
半月刊
1004-227X
44-1237/TS
大16开
广州市科学城科研路6号
46-155
1982
chi
出版文献量(篇)
5196
总下载数(次)
23
总被引数(次)
23564
论文1v1指导