碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析

• 作者: 常永嘉 皇华 黄文龙
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管 随机网络 场效应晶体管 荫罩式电子束蒸发 底栅
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 86-89
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.08.028

摘要

利用电子柬蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极，在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管（SWCNTs），使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术，在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触，有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管，具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点，并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路，具有较高的借鉴价值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常永嘉	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	0	0.0	0.0
2	皇华	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	15	1.0	2.0
3	黄文龙	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	0	0.0	0.0