双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响

• 作者: 刘伟 刘颖 周卓帆 张继华 杨传仁 赵强 陈宏伟
• 来源期刊: 物联网技术
• 关键词: 铝镓氮/氮化镓异质结 有效质量 双轴应变 迁移率 二维电子气
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 33-37
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系.在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变.在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小.计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大.此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显.而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小.