衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响

• 作者: 孙小虎 曾祥斌 薛俊明 陈阳洋 雷青松 鞠洪超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD 绒面ZnO薄膜 衬底温度 太阳电池
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1494-1497
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2629字
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85％的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
2	孙小虎	华中科技大学电子科学与技术系	2	6	1.0	2.0
3	雷青松	华中科技大学电子科学与技术系	12	56	5.0	6.0
4	薛俊明		15	43	5.0	5.0
5	鞠洪超		2	7	2.0	2.0
6	陈阳洋	华中科技大学电子科学与技术系	2	6	1.0	2.0