真空退火对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响

• 作者: 柳聪 蒋亚东 黎威志
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 真空退火 PECVD 氮化硅 红外透射谱
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 74-78
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响,测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀速率。结果表明,退火后氮化硅薄膜厚度及折射率变化与薄膜沉积工艺条件有关,而薄膜在氢氟酸中的腐蚀速率在退火后大大降低。结合退火前后氮化硅薄膜的红外透射谱对以上测试结果进行了讨论。