基于ICP的硅高深宽比沟槽刻蚀技术

• 作者: 宋同晶 展明浩 王文婧 皇华 陈博
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: ICP刻蚀 Footing效应 Lag效应 侧壁光滑度 高深宽比
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.08.025

摘要

介绍了电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STSmultiplexICPsystem刻蚀机，介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析，对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案，最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	皇华	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	15	1.0	2.0
2	宋同晶	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	17	2.0	2.0
3	展明浩	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	15	1.0	2.0