激光能量对沉积纳米Si薄膜晶粒尺寸的影响

• 作者: 段国平 陈俊领 黄明举
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 纳米硅晶粒 脉冲激光能量密度 Raman谱 X射线衍射谱
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 激光材料和光学元件
• 页码范围: 322-325
• 分类号: O782
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.03.009

摘要

为了制备纳米硅薄膜,采用脉冲激光沉积系统,保持靶材和衬底间距不变,在不同激光能量条件下,得到一系列纳米Si薄膜.利用喇曼散射光谱和X射线衍射谱对晶粒尺寸进行了计算和分析,取得了几组数据.结果表明,改变脉冲激光能量时,纳米Si晶粒平均尺寸均随能量的增强先增大后减小；在单脉冲能量为300mJ时制备的纳米Si晶粒平均尺寸最大,为8.58nm.这一结果对纳米硅薄膜制备的研究有积极意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄明举	河南大学物理与电子学院	53	338	12.0	16.0
3	段国平	河南大学物理与电子学院	4	6	2.0	2.0
5	陈俊领	河南大学物理与电子学院	2	5	2.0	2.0