电子束蒸发沉积TiN薄膜的电学特性研究

• 作者: 冯军勤 赵益冉 邵士运 陈俊芳 高鹏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: TCP离子源 电阻率 残余应力 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 90-93
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文

摘要

采用TCP（Transverse coupled plasma）等离子体辅助电子枪蒸镀技术,在玻璃衬底上制备了TiN薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）研究了不同工艺条件对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;用四探针法测量薄膜的电阻率变化。结果表明,所制备的TiN薄膜在（111）晶面有择优取向。与金属薄膜类似,TiN薄膜的平均表面粗糙度与电阻率之间存在近似线性关系,并且电阻率随残余应力增大而增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊芳	华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室	69	768	12.0	26.0
2	邵士运	华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	赵益冉	华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	冯军勤	华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室	4	10	2.0	3.0
5	高鹏	华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室	3	10	2.0	3.0